SRSO 박막의 구조적 광학적 특성

초록

본 연구에서는 고주파 마그네트론 기법을 이용하여 SRSO 박막을 제조하였다. SiO2 타겟과 Si 칩을 이용하여 cosputtering 기법에 의해 박막을 제조하였으며, 증착후 열처리를 공정변수로하여 발광의 거동을 연구하였다. SRSO 박막은 450~500 nm 파장대에서 발광피크가 존재하였다. 증착후 열처리온도 1000~1100oC에서 박막의 결정성 및 Si 나노 결정질이 증가하였는데, 이러한 결과로 가시광 영역의 발광의 세기가 증가하였다. SiO2 기지 내 분포되어있는 나노결정질 Si의 입자크기는 수 나노미터이며, 증착후 열처리가 박막의 나노구조에 미치는 효과를 고찰하였다.