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PLD를 이용한 ZnO 박막의 발광에 관한 연구
Photoluminescence charateristics of Zno thin films by Pulsed laser deposition
초록
성장시킨 ZnO 박막은 Nd;YAG laser를 사용하여 PLD 방법으로 (100)p-type 실리콘에 위에 증착시켰다. 박막의 성장 조건에 영향을 미치는 요인은 산소분압과 기판온도 그리고 레이저 에너지 밀도등이 있다. 본 연구에서 성장시킨 ZnO 박막은 200-500도의 기판온도와 0.01-100mTorr의 산소분압 범위안에서 수행하였다. 본 실험에서는 XRD와 AFM 그리고 PL을 사용하여 ZnO 박막의 구조적 특성과 표면의 형태 그리고 광특성을 조사하였다.
- 제목
- PLD를 이용한 ZnO 박막의 발광에 관한 연구
- 제목 (타언어)
- Photoluminescence charateristics of Zno thin films by Pulsed laser deposition
- 저자
- CHEON LEE
- 학회명
- 2002년도 한국전기전자재료학회 하계학술대회