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초록
플라즈마 에칭 시스템에 있어서, 이온은 물리적 스퍼터링 메카니즘 및 화학 반응의 증속작용 등에 관여 하여 웨이퍼의 토포크래피를 결정하는데 있어서 중요한 파라미터가 된다. 본 논문에서는 플라즈마 리액터 내의 이온 공핍층에서의 이온의 각 분포 및 에너지 분포를 몬테 카를로 방식으로 계산하였다.
- 제목
- RF 에칭 시스템에서 이온의 몬테 카를로 시뮬레이션
- 제목 (타언어)
- Monte Carlo Simulation of Ion in an RF Plasma etching System
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 대한전자공학회 추계종합학술대회 논문집