에칭 및 산화조건에 따른 다공질 실리콘의 구조적, 광학적 특성

초록

본 실험에서 제조된 다공질 실리콘은 HF(48%):C2H5OH:H2O=1:2:1(vol) 혼합액을 전해질 용액으로 사용하여 전기 화학적 에칭방법에 의해 제조되었다. 반응기의 온도를 40oC의 온도로 유지시키고 10-100 mA/cm2의 전류밀도에서 10분 동안 시행되었다. 제조된 PS를 공기 중에서 자연 산화시켰고 산화정도에 따른 구조와 광학적 특성의 관계에 대하여 SEM, FT-IR, XPS, PL을 통해서 고찰하였다.