EQCM을 이용한 Cu2O의 전기화학적 증착에 관한 연구

초록

세라믹 산화물을 전기화학적으로 증착하는 것은 기존의 CVD와 스퍼터링법 그리고 졸-겔 법등의 공정에 비해 많은 이점을 지니고 있다. 첫째, 증착두께를 전기화학적인 인자로 제어할 수 있고, 둘째 전기화학적인 방법은 상대적으로 균일한 박막과 높은 증착속도를 가지고 있으며 경제적이다[1]. 현재 p형 반도체인 Cu2O의 전기화학적 증착은 여러 전해질용액에서 연구되어지고 있으며[2], 특히 Cu+2 이온이 포함된 산성용액 하에서 전기화학적인 방법에 의한 Cu와 copper oxide(CuO, Cu2O)의 증착에 대하여 연구한 Tanaka 등은 전해전위에 따라 증착물질이 달라진다고 보고하고 있다[3]. 본 연구에서는 펄스전류파형 방법을 이용하여 단결정 Cu2O의 증착실험을 하였고, in situ EQCM을 이용하여 박막형성 과정을 조사하였다.