이온보조 반응이온 마그네크론 스퍼터링 방법을 이용한 TiOx 박막의 제작

초록

본 연구에서는 end-Hall 이온총을 이용하여 이온보조 반응이온 마그네트론 스퍼터링 방법으로 TiOX 박막을 증착하였다. 일반적인 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링에서보다 긴 350 mm의 타깃-기판 거리(TSD)에서 증착하였으며, 이온보조 증착하지 않은 경우와 이온보조 증착한 경우의 TiOX 박막들을 비교하였다. 이온보조 증착된 TiOX 박막은 양극 전류의 변화에 따라 2.45~2.48의 굴절률과 0.001이하의 소멸계수를 가졌으며, 2.26~2.34의 굴절률과 0.001이상의 소멸계수를 갖는 이온보조 증착하지 않은 박막보다 높은 굴절률과 낮은 소멸계수를 가졌다. 일반적인 방법으로 제작된 TiOX 박막의 경우 4~8 nm의 표면거칠기를 가지는 반면에, 350 mm의 TSD에서 증착된 TiOX 박막들의 표면거칠기는 모두 1.15 nm (rms) 근처로 아주 매끄러운 표면을 가졌다. 또한 XRD 스펙트럼으로부터 얻은 박막들의 결정성은 모두 비정질임을 알 수 있었다.