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초록
소자의 크기가 서브 마이크론 이하로 감소함에 따라, 주입된 도펀트의 3차원적 분포에 대한 정확한 예측 및 제어는 소자의 설계 및 제직 상 매우 중요한 요소가 되었다. 따라서, 이러한 도펀트 분포의 3차원적 제현상을 정확히 예측하기 위하여 본 논문에서 는 몬테카를로 방법을 이용한 3차원 이온 주입 시뮬레이터와 유한요소법을 이용한 3차원 확산 시뮬레이터를 제작, 시뮬레이션 결과를 발표하고자 한다.
- 제목
- 몬테카를로 방법을 사용한 실리콘내의 3차원 도판트 분포 시뮬레이션
- 제목 (타언어)
- Three-dimensional Simulation of Dopant Distribution in Silicon
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 제4회 한국반도체 학술대회 논문집