CMP공정후의 금속오염의제거를 위한 건식세정

초록

Si웨이퍼를 HF용액으로 에칭하여 Si표면의 산화막을 제거한 시편을 공업용수로 오염시켜 리모트 수소 플라즈마(RHP)세정을 실시하였을 때, CMP공정중에 발생하는 Fe, K, Cu 등의 금속오염농도가 초기에 비하여 현저하게 감소하였으며, 그 범위는 1010-1011atoms/cm2 또는 검출한계이하였다. 한편, 자연산화막이 존재하는 시편을 공업용수에 rinse하여 오염시킨 후 리모트 수소 플라즈마 세정을 실시했을 때, Fe를 제외한 Cu, K등의 금속오염농도가 TXRF의 검출한계이하로 감소하는 우수한 금속오염제거효과를 나타내었다. Si표면에 자연산화막이 존재하는 경우나 존재하지 않는 경우 모두 리모트 수소 플라즈마 세정이 최적의 공정조건하에서 이루어진다면, 금속오염의 제거에 우수한 효과가 있음을 알 수 있었다. AFM분석결과 리모트 수소 플라즈마 세정이 Si웨이퍼 표면에 거의 손상을 주지 않는 것으로 나타났다. K, Fe, Cu, Al의 제거를 위하여 사용한 리모트 수소 플라즈마 세정의 최적공정조건은 rf-power가 20W, plasma exposure time은 5분이었다.