Ti:sapphire laser를 이용한 THz 대역의 semiconductor photonic band-gap crystal 제작

초록

THz 수동소자 연구에 있어서 가장 주목을 끌고 있는 것은 광결정(Photonic crysta)을 이용한 THz 수동소자 연구이다. 또한 THz 대역에서는 광결정의 주기가 대략 50 ~ 100 μm 정도로서 제작하기 적당하고 응용 가능성이 매우 크다. 따라서 본 연구에서는 THz 대역에서의 air hole을 갖는 Semiconductor photonic bandgap crystal 제작하기 위해 75 μm 주기에 50 μm 지름을 갖는 20 X 20 square lattice 광결정을 설계하였으며, Si과 GaAs 기판에 air hole 만들기 위해 Ti:sapphire laser을 이용하였다. 설계값에 맞는 photonic crysal을 제작하기 위해 Laser power와 시간을 변화시키며 air hole의 지름과 깊이의 변화를 SEM (scanning electron microscopy)통해 조사하였다. 이 조건을 기본으로 Semiconductor photonic bandgap crystal 제작하였고, THz 전자기파를 투과시켜 파의 변화를 측정하였다.