RuO2 MOCVD를 위한 TiN막의 ECR plasma 전처리의 효과

초록

TiN barrier막 위에 metal organic chemical deposition(MOCVD)법으로 RuO2를 증착시 TiN막 표면을 세정처리하지 않을 경우 RuO2의 핵생성이 어렵고, 그로 인해 RuO2 연속막이 형성되기 힘들다. 그러므로 RuO2의 핵생성을 향상시키기 위해 TiN막에 대한 전처리 세정이 필수적이다. TiN막의 전처리 세정방법으로 ECR plasma 세정법을 사용하였으며, O2 plasma와 H2 plasma 그리고 Ar plasma를 이용해 각각의 exposure time을 변화시키며 전처리 세정을 실시하였다. H2 plasma와 Ar plasma의 exposure time이 증가됨에 따라 RuO2의 핵생성이 향상되었다. 본 연구에서는 scanning electron microscopy(SEM), Auger electron emission spectrometry (AES), Atomic Force Microscope(AFM), X-ray diffraction (XRD) 등의 분석을 통해 TiN막 표면에 대한 ECR plasma 전처리 세정이 RuO2의 핵생성과 연속막 성장에 미치는 효과에 대해 조사하였다.