BaTIO3박막형성에 미치는 pH의 효과

초록

ABO3 형태의 페롭스카이트 복합 산화물의 하나이며, 고유전율, ferroelectric성질 을 지니고 있는 BaTiO3(BT)박막은, DRAM의 고용량 커패시터 및 비휘발성 ferroelectric 기억소자등에 사용이 기대되고 있다. 전기화학적 방법에 의한 BaTiO3박막제조는 기존의 고온.고압이 요구되는 PVD,CVD 및 졸-겔 방법등에 비하여 저온에서 합성이 가능하므로 제조후 고온.소둔의 과정에서 발생할 수 있는 확산에 기인한 기판/박막 계면에서의 부반응 의 문제점을 보완할 수 있으며, 전해조건의 변화에 따라 박막의 두께조절이 가능한 장점을 지니고 있다. 전기화학적 방법에 의한 BaTiO3의 박막제조는 저온(50-100도)에서 기판금속(Ti) 의 양극산화를 이용하여 pH가 13이상의 강알칼리 용액하에서 가능하다. 본 연구에서는 산화반응에 의한 BT형성과정에서 OH-이온이 미치는 효과를 LSV 및 펄스파형을 이용하여 조사하고, 이와함께 BT박막 형성에 미치는 영향을 분석하였다.