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초록
본 논문에서는 자체 개발된 3차원 소자 시뮬레이터인 BANDIS에 횡전계 의존 이동도 모델인 LSM(Lombardi Surface Mobility) 모델을 수치 해석적으로 구현하여 N-channel MOSFET의 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 변화를 고찰하였다. 모의실험용 N-channel MOSFET의 제작은 D사의 ASIC용 Process를 참조하였고 상용화된 2차원 공정 시뮬레이터인 TSUPREM4를 사용하여 제작하였다. 모의실험 결과를 상용화된 3차원 소자 시뮬레이터인 DAVINCI와 비교해 본 결과 게이트 바이어스가 5V일 때 본 논문에서 제안한 두 가지 방법에 대해 각각 13%와 22%의 최대 상대오차를 보였다.
- 제목
- 횡전계 의존 이동도 모델의 이산화 방법에 관한 연구
- 제목 (타언어)
- A Study on the Discretization Method of Lombardi Surface Surface Mobility Model
- 저자
- Kim Cheolseong
- 학회명
- 대한전자공학회 추계종합학술대회 논문집