InP 배열 도파로 소자의 제작 및 특성 분석

초록

현재 광통신 장비에 있어서 능동/수동 소자의 제작과 성능향상을 위한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 특히 광소자의 주된 물질로서 사용되는 InP/InGaAsP의 식각특성은 광소자 성능특성을 가늠케하므로, 식각특성 연구를 바탕으로 한 소자의 제작은 매우 중요하다.[1] 일반적으로 InP/InGaAsP의 식각과정에서 발생하는 폴리머 형성은 식각률을 저하시키므로 식각공정에서 어려움을 가진다. 표면 특성을 개선하면서도 식각율이 저하되지 않도록 Inductively coupled plasma(ICP)장비를 사용하여 공정개선을 시도하였다. 이때, 통상의 ICP 운용과 Enhanced-ICP(E-ICP) 운용방식을 비교하였고, ICP 식각으로 광소자 제작에 적합한 공정조건을 찾아 배열도파로를 제작하였다. 또한 후처리용 습식식각에 있어서 황산과 과산화수소의 적절한 비율과 온도조절을 통해 최적화된 도파로 표면처리를 수행하였으며, 식각특성 연구를 바탕으로한 InP-4채널 배열도파로 광소자를 제작한 결과를 보고한다.