전기화학에칭 기법으로 제조된 나노 기공성 실리콘의 구조와 광학적 특성에 미치는 반응기 온도 및 전류밀도 영향

초록

나노기공성 실리콘이 양자제한 효과에 의해 발광효과가 있다는 사실이 밝혀진 이후 이에 관한 관심과 연구가 급증하고 있다. 특히 반도체 산업에서 이를 광소자로 이용하기 위해 많은 노력을 기울려 왔다. 이 소재는 Si을 기본으로 한 기존의 집적회로와의 부합성이 뛰어나므로 기존의 IC 회로 내 광소자의 접목이 용이하다는 장점이 있다. 본 연구에서는 전자산업계에서 이용될 수 있는 전기화학 에칭법을 이용하여, HF(49%):H2O:C2H5OH = 1:1:2(vol) 혼합액을 전해질로 사용하여 반응기 온도와 전류밀도ㅡㄹ 변화시키면서 나노기공성 실리콘을 제조하였으며, 이들의 구조적, 광학적 특성을 연구하였다.