ICP 를 이용한 InP 도파로 소자의 제작 특성

초록

RIE(Reactive Ion Etching) 방법 대신 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방법을 사용하여 InP 광 도파로 구조를 식각하고, 라디오 주파수의 파우어, 가스 흐름, 압력, 가스 혼합비율 등을 변화시키면서 그 특성을 검토하였다.