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GaN 기반 발광다이오드의 내부양자효율 특성 분석
RYU HANYOUL
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CHICAGO
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HARVARD
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제목
GaN 기반 발광다이오드의 내부양자효율 특성 분석
저자
RYU HANYOUL
학회명
광전자 및 광통신 학술회의
개최지
대구 엑스코
학회 개최일
2018-05-30 ~ 2018-06-01
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