PECVD 기법을 이용하여 제조된 나노결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성에 미치는 반응가스의 영향

초록

나노결정 및 비정질 Si(nc-Si, a-Si) 박막에서 발광현상이 발견된 이후, 폭넓은 응용가능성 때문에 이들 재료는 광전자 산업에서 큰 관심을 모으고 있다. 또한 이들 박막은 기존의 저가 및 대량 생산이 가능한 박막 증착기법인 스퍼터 및 PECVD 법 등을 이용하여 제조할 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 PECVD를 이용하여 nc-Si 박막을 제조하였으며, 반응가스에 따른 박막의 나노구조를 분석하고, 박막의 광학적 특성과의 상관관계를 고찰하였다.