낮은 굴절률 SiOxFy 박막의 제작 및 특성

Fabrication and Characterization of Low Index SiOxFy Thin Films
  • CHANG KWON HWANGBO

초록

Si를 증발물질로 SiOxFy 박막을 제작하였을 경우 박막의 평균 굴절률은 1.412-1.441의 값을 가지며 기판의 온도 변화에 따라 박마과 기판 부근과 박막과 공기 부근의 굴절률이 서로 다른 불균일 박막이었다.

제목
낮은 굴절률 SiOxFy 박막의 제작 및 특성
제목 (타언어)
Fabrication and Characterization of Low Index SiOxFy Thin Films
저자
CHANG KWON HWANGBO
학회명
16회 광학및 양자전자 학술발표회 논문집