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초록
Si를 증발물질로 SiOxFy 박막을 제작하였을 경우 박막의 평균 굴절률은 1.412-1.441의 값을 가지며 기판의 온도 변화에 따라 박마과 기판 부근과 박막과 공기 부근의 굴절률이 서로 다른 불균일 박막이었다.
- 제목
- 낮은 굴절률 SiOxFy 박막의 제작 및 특성
- 제목 (타언어)
- Fabrication and Characterization of Low Index SiOxFy Thin Films
- 저자
- CHANG KWON HWANGBO
- 학회명
- 16회 광학및 양자전자 학술발표회 논문집