변형된 Source-Stepping Algorithm에 관한 연구

초록

본 논문에서는 혼합모드 소자-회로 시뮬레이터의 수렴특성을 개선시킬 수 있는 초기해 설정방법을 제시한다. 제안된 초기해의 설정방법은 소자 시뮬레이터단의 초기조건에 사용되도록 구현되었으며 소자의 각 단자전압이 0.5 [V]이상 변화할 경우와 동시에 2개 이상의 단자전압이 변화할 경우에 사용될 수 없는 외삽법(extrapolation projection)의 결점을 보완하였다. 제안된 초기해의 설정방법을 혼합모드 3차원 소자-회로 시뮬레이터에 구현하여 MOSFET과 BJT의 전압 전달특성(voltage transfer curve)을 모의실험한 결과, 각 단자전압의 변화가 0.5[V]이상인 경우에 이전의 해(previous solution)를 이용한 초기해 방법으로는 수렴을 하지 못한 반면에 제안된 초기해 설정방법을 이용한 모의실험에서는 안정적으로 해를 구할 수 있었다.