바륨 용출 억제를 위한 적층 세라믹 커패시터용 주석 도금액 개발 및 평가

초록

전기자동차, 5G 등이 차세대 주력 기술로 주목받음에 따라 내부 회로의 전류 제어를 위한 적층 세라믹 커패시터(MLCC)에 대한 수요가 증가하고 있다. 또한 최근 IT 기기의 고집적 및 소형화 추세에 따라 높은 신뢰성을 갖는 초소형 및 고용량의 적층 세라믹 커패시터 생산이 필수적이다. 하지만 외부전극의 주석도금 과정에서 사용되는 산성 도금액에 의해 바륨이 용출되어 외부전극 내 공극 형성으로 인한 신뢰성 열화 현상이 발생한다. 따라서 주석 도금 과정에서 바륨 용출에 따른 적층 세라믹 커패시터의 신뢰성 열화 방지를 위해, 약산성 및 중성의 주석 도금액 개발이 요구된다. 본 연구에서는 주석 도금액의 첨가제 성분 조절 및 변수 제어를 통해 바륨 용출이 억제된 적층 세라믹 커패시터용 주석 도금액 합성법에 대한 연구를 진행하였다. 바륨 용출 억제를 위해 주석 도금액의 각 성분에 따른 바륨 용출량에 대한 분석을 진행하였으며, 주석 도금 후 칩 단면 분석 및 다양한 신뢰성 평가를 통해 주석 도금액에 대한 성능 평가를 진행하였다.