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초록
AlGaAs/GaAs HBT의 열적 스트레스에 의한 소자의 열화 현상을 예측하기 위한 TCAD tool을 개발하였다. 제작된 시뮬레이터를 이용하여 계산한 결과, 400℃와 500℃에서 10분간 열적 스트레스를 인가한 경우, p형 불순물이 에미터 방향으로 각각 300Å및 750Å침투하는 것으로 관찰되었다.
- 제목
- AlGaAs/GaAs HBT의 열적 스트레스에 의한 소자 특성의 열화 현상
- 제목 (타언어)
- Degradation of AlGaAs/GaAs HBTs by Thermal Stress
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 제1회 한국반도체 학술대회 논문집