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초록
본 연구에서 제조된 GaN/sapphire heterostructure에서, (0001)GaN//(0001)sapphire; [0110]GaN//[1201]sapphire 기판-박막 방향성 관계가 관찰되었으며, 박막 내 관찰된 전위의 버거스 벡터: b=1/3[2110], 선벡터: n=[0001]이며, 이는 전위의 전파거동에서 {1010}<2110> 슬립시스템이 크게 기여한 것을 의미한다.
- 제목
- Organometallic vapor phase epitaxy에 의해 제조된 GaN 결함구조 분석
- 제목 (타언어)
- Investigation of the structural defects in GaN thin films grown by organometallic vapor phase epitaxy
- 저자
- CHO NAMHEE
- 학회명
- 2002 한국세라믹학회 (추계총회 및 연구발표회)