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초록
본 논문에서는 반도체 소자 제조 공정 중, 열산화 공정 시에 발 생하는 스트레스에 따른 산화막의 3차원적 거동을 시뮬레이션했다. 이를 위해, 이동하는 차원 경계면에서의 노드 생성 및 제거 기능을 지닌 3차원 적응 메쉬 생성기를 개발하였고, 지배 방정식을 유한요소법 으로 이산화시켜 수치 해석적으로 해를 구하는, 스트레스 효과를 고려한 3차원 산화 시뮬레이터를 개발하였다.
- 제목
- 스트레스 효과를 고려한 3차원 산화 시뮬레이션
- 제목 (타언어)
- Three-dimensional Simulation of Thermal Oxidation with Stress Effect
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 대한전자공학회 추계종합학술대회 논문집