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초록
PECVD 기법을 이용하여 Si 기판위에 nc-Si:H 박막을 제조하였다. 박막제조후, 열처리를 400~1100oC의 온도에서 30분 동안 수행하였다. 박막의 결정도, 화학적상태, 나노구조를 분석하였으며, 나노구조의 변화에 따른 광학적 특성을 형광분석기법을 이용하여 조사하였다.
- 제목
- Nanostructural and Optical Features of nc-Si:H thin Films Prepared by PECVD Techniques
- 제목 (타언어)
- 영문제목
- 저자
- CHO NAMHEE
- 학회명
- 2003년도 한국결정학회 추계학술연구발표회