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초록
본 연구에서는 절연막으로 폴리이미드를 사용한 AlGaAs/GaAs HBT를 제작하였다. HP4145B를 사용하여 소자의DC특성을 측정하였으며, HP8510C를 이용하여 소자의 고주파 특성을 측정하고 디임베딩방법을 이용하여 기생성분을 추출, 회로 방정식을 이용하여 내부소자의 등가모델 변수를 추출하였다. 또한, 로드-풀 방법을 이용하여 HBT 소자의 전력 특성을 시뮬레이션하고 측정하였다.
- 제목
- X-Band용 AlGaAs/GaAs HBTs의 전력 측정
- 제목 (타언어)
- Power Measurement of X-band AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor(HBTs)
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 제3회 한국반도체 학술대회 논문집