집속된 아르곤 이온 레이저에 의한 실리콘의 미세가공 및 평가

초록

집속된 아르곤 이온 레이저빔은 실리콘 기판뿐 아니라 세라믹과 같은 다른 재료에 마이크로단위의 구조물을 만드는데 사용할 수 있다. 본 연구에 사용한 레이저는 최대출력 6W, 사용파장 514nm 인 아르곤 이온 레이저로써 주로 반도체 프로세스에 적합하다. 이 레이저 빔을 높은 N.A.와 긴 working distance를 갖는 광학현미경의 대물렌즈로 집속하였다. 이를 통해 최소선폭 1um 를 얻을 수 있었다. 실리콘의 마이크로머시닝은 레이저 빔의 spot size보다도 열화학적 식각반응에 더욱 의존한다. 실리콘에 있어서 식각율은 434.7um/sec 을 얻을 수 있었다.