PECVD 기법에 의해 제조된 나노결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성

초록

본 연구에서는 PECVD 기법을 이용하여 nc-Si 박막을 제조하였다. 또한, 다양한 공정변수의 변화에 따른 박막의 나노구조와 광학적 특성을 고찰하였다. 특히 반응가스(SiH4:Ar=44~100:40), 기판온도(R.T.), 그리고 플라즈마 전력(100Watt) 등의 공정변수를 변화시키면서 Si 기판 위에 박막을 제조하였다. 이들 박막의 결정크기, 결정화도, 나노구조를 XRD, FT-IR, Raman spectroscopy, TEM 등을 사용하여 조사하였으며, 나노결정 분율 및 결정크기와 박막의 광학적 물성과의 상관관계를 고찰하였다.