플라즈마 반응로에서 산소 기체의 균일한 흐름을 위한 유동 해석

초록

반도체의 고집적화로 인한 high dose implant의 도입과 소자의 동작 특성 향상을 위한 low-k 물질의 도입에 따라 다양한 주변 공정의 변화를 이끌면서 에싱 장비의 가치가 높아지고 있다. 또한, 반도체 디바이스가 초고집적화, 나노급으로 초미세화 됨에 따라서 에싱 공정에서 산소 플라즈마에 의한 process integration, 소자의 신뢰성 문제들이 매우 중요한 이슈로 제기되고 있다.