고순도 알루미늄의 전기화학적 에칭에 미치는 전처리 효과

초록

금속 알루미늄은 자연상태에서 표면 위에 치밀한 보호산화막을 형성하고 있으므로 염소이온등의 halide 이온을 함유한 용액에서는 산화막의 파괴에 의해 알루미늄이 용액내로 녹으면서 핏트형태의 국부부식이 관찰된다. 이러한 국부부식 현상을 응용하여 염소이온이 함유된 용액내에서 알루미늄을 전기화학적으로 에칭함으로서 전극의 표면적 증대가 가능하고, 그 위에 양극산화막을 형성시켜 높은 정전용량을 갖는 알루미늄 전해커패시터의 Anode로 사용되고 있다. 알루미늄 전극표면적의 확대는 에칭용액에 산화피막 형성제를 첨가시키거나 에칭전에 알루미늄표면을 전처리하는 화학적인 방법과 전류밀도등의 전기적인 변수 조절을 통하여 핏트밀도를 증가시키고 형상을 제어함으로서 가능하다. 본 연구는 전기화학적 방법에 의한 알루미늄 에칭시에 전처리가 미치는 영향을 조사하였다.