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초록
본 논문에서는 반도체 소자 제조 공정 중 이온 주입 시 형성되는 이온의 3차원 분포를 예측하였다. 이를 위하여, 3차원 구조의 형성 을 위한 메쉬를 생성하였고, 다층 레이어에 대한 이온 분포의 계산 및 마스크와 기판의 3차원 구조에서 이온의 입사각에 대한 의존성,마스크의 두께에 따른 shadow 효과, 측면 산란 효과를 고려하여 boron 및 phosphorus 등 다양한 도펀트에 대한 3차원 몬테카를로 이온 주입 시뮬레이터를 개발하였다.
- 제목
- 3차원 몬테카를로 이온 주입 시뮬레이터의 개발
- 제목 (타언어)
- Development of Three-Dimensional Monte Carlo Ion Implantation Simulator
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 대한전자공학회 추계종합학술대회 논문집