Bilayer Phosphorescence Light Emitting Diode 특성 연구.

초록

일반적으로 인광 소자들은 guest, host system을 이용한 고분자에 인광물질을 doping 시킨 blend를 사용한다. 본 연구에서는 인광물질로 heavy metal complex인 fac tris(2-phenylpyridine)[Ir(ppy)3] 을 사용하였고, host로는 인광물질과 Energy overlap이 좋은 poly(vinylcarbazole)[PVK]을 사용하였다. 일반적으로 연구되는 blend소자는 electron과 hole이 주입되는 host의 특성에 크게 영향을 받는다. PVK를 host로 하는 blend 소자는 host의 높은 LUMO level(-1.9eV) 특성으로 높은 구동전압과 낮은 전류량을 보인다. 이러한 단점을 극복하고자 LUMO level이 낮은 Ir(ppy)3 (-2.28eV, -3.16eV)로 electron이 주입될 수 있도록 bilayer인 소자를 만들어 특성을 조사하였다. Bilayer Phosphorescence Light Emitting Diode는 PVK와 Ir(ppy)3 를 블랜드한 LED와 비슷한 빛의 세기와 효율을 나타내었으나 구동 전압이 크게 낮아졌다