RF magnetron sputtering법을 이용한 무반사(antireflection) 코팅 물질(SiO2, TiO2)의 물성분석과 SLD(semiconductor laser diode)에서의 응용

초록

무반사 코팅을 위한 조건을 찾기 위해 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Si기판위에 SiO2와 TiO2를 증착하였다. RF magnetron sputtering법을 이용한 무반사 코팅은 박막의 굴절률과 증착률의 조절이 용이하고 재연성이 뛰어나다. SiO2와 TiO2의 굴절률과 증착률 조절을 위해 RF power와 Gas(Ar:O2) 비율의 변화를 주었으며 굴절률과 증착률은 Ellipsometer로 측정, 분석하였고 AFM(atomic force microscope), SEM(scanning electron microscope), RBS(rutherford backscattering spectrometry)로 표면과 성분을 분석하였다. 실험결과 RF Power가 증가함에 따라 굴절률과 증착률은 증가하였고 Gas(Ar:O2) 비율에서 Ar양의 변화에 따라 굴절률과 증착률이 변화함을 확인하였다. 실험을 통하여 얻어진 SiO2와 TiO2 최적의 조건을 가지고 SLD에 일층과 이층으로 코팅하여 무반사 코팅의 효과를 확인한다.