Ni/Ta(110) 계의 전자 구조와 자성

초록

귀금속(noble metal)이나 전이 금속(transition metal) 밑층(substrate) 위에 놓여진 금속 웃층(metal overlayer)의 자성(magnetism) 연구는 오랫동안 많은 관심의 대상이 되었다 [1]. 특히, 전이 금속을 웃층으로 사용할 경우에 대해서 많은 연구가 있었다 [2]. 전이 금속 중에서 탄탈(transition; Ta)은 반응성이 적어서 웃층 금속과 잘 섞이지 않기 때문에 좋은 밑층이 될 수 있다고 알려져 있다 [3]. 니켈(nickel; Ni)이 부착된(deposited) Ta(110) 계에 일산화탄소(carbon monoxide; CO)를 화학 흡착(chemisorption) 시킬 때의 웃층 구조 (overlayer structure)와 전자 밀도(electron density)를 각 분해 광전자 분광법(angle-resolved photoemission spectroscopy;ARPES) 방법을 이용해서 연구한 경우는 있었지만 [4], 이 계에서 자성에 대한 연구는 아직 없엇다. 본 연구에서는 총 퍼텐셜 선형 머핀-틴 보강 평면파(full-potential linearized aubgmented plane wave;FLAPW) 방법을 이용해서 [5] Ni/Ta(110) 계의 전자 구조 (electronic structure)와 자성을 이론적으로 연구하였다.