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초록
이온 주입 공정 단계에서 발생하는 점결함 및 클러스터, 단층 루프등에 의한 불순물의 과도 증속확산 의존성을 모델링하고, 이를 본 연구진이 개발 중인 3차원 반도체 공정 시뮬레이터 INPROS에 모듈로 이식하였다. 시뮬레이션 결과는 실험 SIMS 데이터와 잘 일치함을 확인하였다.
- 제목
- 고농도 이온 주입에의한 과도 증속확산 연구
- 제목 (타언어)
- High Dose Implantation Induced Transient Enhanced Diffusion
- 저자
- WON TAEYOUNG
- 학회명
- 제6회 한국반도체학술대회