TaSiN 기판상의 구리막 증착을 위한 플라즈마 세정

초록

구리는 electromigration 특성이 좋고 비저항이 낮아 현재 반도체의 주배선재료인 알루미늄을 대체할 것으로 확실시된다. 또한 배선과 실리콘 웨이퍼 사이의 barrier로서 TiN 이나 TaN 등이 쓰이고 있으나 앞으로는 3원계 원소인 TaSiN 등이 유력하다. 그러나 TaSiN 막 위에 구리막을 MOCVD법으로 증착시킬 경우 TaSiN 막 위의 미량의 오염물질로 인하여 초기 증착속도가 매우 낮게 나타난다. 따라서 본 연구에서는 TaSiN막의 표면세정법으로서 수소 플라즈마 처리를 하였다. 반도체 제조공정의 세정은 주로 습식으로 이뤄지고 있으나 향후 반도체 제조장비의 in-situ화로 인하여 플라즈마 처리와 같은 건식세정이 요구되어진다.