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초록
최근 정보통신 분야의 급격한 발달로 통신에 사용되는 주파수 영역이 계속 높아지고 있으며, 기술의 고도화와 소비자들의 작고 가벼운 제품의 요구, 신속한 정보의 처리를 원하고 있다. 이에 응하는 체적탄성파 공진기는 Si 또는 GaAs를 기판으로 사용하기 때문에 우수한 주파수 특성뿐만 아니라 소형화 및 실리콘 집적화에도 적합한 장점이 있다. 본 실험에서는 Bulk Micromachining을 공정으로 Si3N4 membrane을 이용한 FBAR를 제작하고 공진기의 고주파 특성을 평가하였다. 공진발생영역은 RF magnetron sputtering 으로 증착한 AlN 압전박막과 Mo 전극으로 형성하였으며, 공진주파수는 W-LAN응용을 위해 5.2 GHz 로 각 박막의 두께를 조절하였다.
- 제목
- 5.2 GHz 대역의 박막형 체적탄성파 공진기의 제조 및 특성
- 제목 (타언어)
- Fabrication and Characteristics of 5.2 GHz Film Bulk Acoustic Wave Resonator
- 저자
- JEONG WHAN HAN
- 학회명
- 한국재료학회 추계학술대회