공정조건에 따른 나노기공성 실리콘의 나노구조 및 발광특성

초록

본 연구에서는 나노 기공성 실리콘을 HF 용액에서 전기화학 에칭법에 의해 준비하였으며 에칭시간, 에칭 전류밀도와 산화상태에 따라 제조되었다. 이들의 구조적 특성, 광학적 특성, 화학적 특성을 조사하기 위하여 SEM, HRXRD, PL 그리고 FT-IR spectroscopy를 사용하였다. 이들 결과로부터 pore 크기, 분포 및 SiOx 량과 발광현상의 상관관계를 고찰하였다.