3원계 Ni-Cr-Si 스퍼터 박막의 제조공정 변화에 따른 전기적 특성

초록

3원계 51wt%Ni-41wt%Cr-8wt%Si 합금 타겟을 가지고 DC/RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 박막저항을 제조하였고, 낮은 저항온도계수(TCR)를 가지는 박막을 만들기 위해 제조공정의 변화에 따른 박막의 미세구조와 전기적인 특성을 조사하였다. 스퍼터링 제조 공정 변수로써 DC/RF Power, 반응압력, 기판온도를 변화시켰고, 기판온도 및 열처리 온도의 증가에 따라 TCR값도 증가하였다. 또한 비저항은 DC Power에서 172[um], RF인 경우에는 209[um]을 나타내었고, 각각 +52, -25[ppm/C]의 TCR값을 나타냈다. 이와 같은 결과로부터 제조공정을 변화시킴에 따라 면저항 및 저항온도계수의 제어가 가능함을 알 수 있었다.