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초록
단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예특하기 위해서 Caughey-Thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제한한다. 구현된 Caughey-Thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[um]의 설계규칙을 갖는 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 P-MOSFET을 제작하였다. 전자및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2E6 [cm/sec] 과 1.034E7 [cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[um] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.
- 제목
- 속도포화 효과를 고려한 Caughey-Thomas 이동도 모델의 구현
- 제목 (타언어)
- An Implementation of the Caughey-Thomas Mobility Model whit Velocity Saturation
- 저자
- Kim Cheolseong
- 학회명
- 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집