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GaN 기반 고출력 청자색 레이저 다이오드의 설계 및 특성 측정
Design and characterization of GaN-based high-power blue-violet laser diodes
초록
In this talk, we discuss the design issues of GaN-based laser diodes with 405nm violet wavelength and 450nm blue wavelength, and optimal layer structures and ridge structures for high-power single-mode operation are presented. In addition, we demonstrate high-power laser characteristics recently achieved in Samsung.
- 제목
- GaN 기반 고출력 청자색 레이저 다이오드의 설계 및 특성 측정
- 제목 (타언어)
- Design and characterization of GaN-based high-power blue-violet laser diodes
- 저자
- RYU HANYOUL
- 학회명
- 제15회 광전자 및 광통신 학술회의
- 개최지
- 부산 해운대 한화리조트
- 학회 개최일
- 2008-05-14 ~ 2008-05-16