PECVD 기법에 의해 제조된 나노결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성

초록

본 연구에서는 PECVD 기법을 이용하여 nc-Si:H 박막을 제조하였다. 다양한 공정변수의 변화에 따른 박막의 나노구조를 분석하였으며, 광학적 특성과의 상관관계를 고찰하였다. 제조된 박막은 비정질 및 수 nm 크기의 결정으로 구성되어 있으며, 반응가스의 조건에 따라 450~680 nm의 파장에서 PL 현상이 관찰되었다. 또한 600oC 에서 열처리한 박막은 나노결정의 크기가 변함에 따라 PL 현상이 붉은 색 영역으로 이동함을 알 수 있었다.