마이크로머신 응용을 위한 실리콘의 레이저 직접 식각

초록

레이저 직접 식각 시스템은 높은 식각속도와 분해능을 보여주고 있다. 집속된 아르곤 이온 레이저는 실리콘 기판위에 마이크로구조체를 실현하기 위해 사용될 수 있으며, 이는 광학계를 사용하여 spot size 1um 이하로 집속하였다. 실리콘머시닝은 빔 size보다도 사용가스(CCl2F2)와 실리콘 표면의 국부적으로 용융된 부분의 반응선택도에 크게 의존하기 때문에 빔 크기보다 작게 미세가공할 수 있는 것이다. 최대식각율은 434.7um/sec, 최대종횡비는 5.95를 얻을 수 있었고 SEM(scanning electron microscope)과 AES(auger electron spectroscopy)로 분석하였다. 이와 같은 직접 식각법은 deposition과 layer removal, molding, casting procedure 등 일괄공정과 연계하여 사용될 수 있다.