E-ICP에 의한 산화막 식각특성에 관한 연구

초록

약한 축방향 자기장의 주기적인 조절로 플라즈마의 특성을 향상시키는 Enhanced Inductive Coupled Plasma (E-ICP)를 contact hole etching공정에 적용하였고 식각결과를 기존의 CW-ICP, Magnetized-ICP(M-ICP)방식과 비교하였다. CF4, C4F8 공정가스를 사용하였으며 시변화 주파수를 변화시킨 결과, CF4경우는 80Hz에서 C4F8에서는 10Hz에서 각각 최대 식각율을 얻을 수 있었다. 미세패턴 식각실험에서 축방향의 자기장이 static인 M-ICP와 시변자기장의 E-ICP를 비교하였다. E-ICP경우에는 플라즈마밀도가 M-ICP보다 낮기 때문에 식각율은 낮으나 식각후의 결함은 작게 관찰되었다.