에칭 및 산화조건에 따른 N-type 기공성 실리콘의 구조 및 발광 특성

초록

전기화학 에칭법에 의해 제조된 기공성 실리콘으로부터 가시광 영역에서 강한 발광을 발견한 이후, 다공성 실리콘의 발광현상에 대한 연구가 활발하게 진행되어 왔다. 이 소재는 실리콘을 기초로 한 전자산업에 잘 부합될 수 있는 장점을 갖고 있기 때문에 중요한 연구과제가 되고 있으며, 발광 현상을 이해하기 위하여 최근에 다공성 실리콘의 발광 메카니즘이 다양하게 연구되 있고, 재현성 있는 공정 제어 조건을 확립하는데 많은 연구들이 행해지고 있다. 본 연구에서는 전기화학 에칭법에 의해 n-type 기공성 실리콘을 49%HF:C2H5OH:H2O=1:2:1(vol) 용액에서 에칭시간과 에칭 전류밀도에 따라 준비하였고, 제조된 기공성 실리콘을 자연산화 시킨 후, 산화정도에 따라 구조와 광학적 특성의 관계에 대하여 SEM, FT-IR, TEM, PL을 통하여 고찰하였다.