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초록
본 연구에서는 TEOS(tetraethylorthosilicate) 를 전구체로 하여 remote plasma를 이용한 플라즈마 화학기상증착법에 의해 SiO2 박막과 C2F6 기체를 추가하여 저유전상수를 갖는 F-doped SiO2 film 을 제조하였다. ............................................................................................................................................................
- 제목
- 플라즈마 화학기상증착법에 의한 SiO2 film 제조
- 제목 (타언어)
- Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of SiO2 thin film
- 저자
- DONG WHA PARK
- 학회명
- Theories and Applications of Chemical Engineering