β-Ga2O3Channel with Au and Au/EGaInElectrodes and its Application Devices and Circuits

초록

Gallium oxide (Ga₂O₃)는 초광대역 밴드갭(UWBG, 4.8 eV)을 가진 n형 반도체로, 뛰어난 전기적 및 광학적 특성으로 인해 미래 전자 소자의 유망한 활성 채널 물질로 평가받고 있습니다. 본 논문에서는 플라즈마 식각 없이 Ga₂O₃의 MS 오믹 접촉을 형성하기 위해 EGaIn을 사용하였습니다. EGaIn은 웨어러블 스마트 기기 및 헬스케어 기기를 위한 유망한 유연 전극 재료 중 하나로, 얇은 산화막(갈륨 산화물)을 포함하고 있어 격자 불일치를 해소할 수 있을 것으로 판단되었습니다. 위의 방법을 사용하여 다이오드와 MESFET을 제작하였으며, 이를 단일 소자 내에서 활용하여 다양한 회로를 구현하고자 노력하였습니다.