Ni-SiC 복합도금 공정조건 연구

초록

결과 요약 입도 1㎛, 4㎛, 7㎛의 SiC분말을 사용하여 도금층을 제조한 후 단위면적당 SiC입자의 점유율과 입자수를 분석하였다. 입도 1㎛의 경우에 SiC입자의 면적점유율은 15%이었는데, 입도가 증가할수록 도금층 표면에서의 면적점유율은 직선적으로 증가하는 경향을 보여 7㎛에서의 면적점유율은 44%를 나타내었다. 반면에 SiC의 입자수는 입도의 크기가 증가함에 따라 도금층 단면에서 감소하는 경향을 나타내었다. 전착조건 중 교반속도가 도금층의 공석률에 미치는 영향을 검토하기 위하여 교반속도를 0Hz, 30Hz, 45Hz, 60Hz로 달리하여 1㎛ SiC입자의 농도를 50g/l로 하고 복합도금층을 제조하여 단위면적당 SiC의 점유율과 입자수를 분석한 결과, 교반없이 제작한 Ni-SiC 복합도금층의 SiC 면적점유율은 0.5%를 나타내었으나, 30Hz의 속도로 교반을 수행한 도금층중의 SiC 면적점유율은 5.8%로 급격한 증가현상을 보였으며, 교반속도 45Hz에서는 15.5%로 최대의 면적점유율을 나타내었다. 그러나 그 이상의 교반속도인 60Hz에서는 오히려 SiC의 면적점유율이 감소하여 11%를 나타내었다. SiC입도에 따른 기계적 성질의 변화를 검토하기 위해서 입도 1㎛, 4㎛, 7㎛의 Ni-SiC 복합도금층을 각각 제작한 후, 경도시험과 내마모시험을 수행하였으며, 순Ni 도금층의 경도는 200VHN인데 반하여, SiC입도 1㎛의 복합도금층의 경도는 약 850VHN을 나타내었으며, SiC입도의 크기 증가에 따라 경도는 감소하여 입도 7㎛에서는 510VHN의 경도치를 나타내었다. 내마모성을 시험한 결과도 경도와 거의 유사한 경향을 나타내어 1㎛에서 가장 우수한 결과가 얻어졌다.