Single Event Upset에 의한 반송자 생성 모델에 관한 연구

초록

SER(Soft Error Rate)의 시뮬레이션 결과에 절대적인 영향을 주는 반송자 생성(Electron-Hole Pair Generation)에 관한 모델링을 수행하고 전위, 전자 및 정공의 의사 페르미 준위의 solution update 방법을 제시한다. 모의실험은 166MHz의 클락주파수를 갖는 Pentium PC에서 동작하는 Windows 95 환경하에서 수행되며 모의실험에 사용되는 시료는 3차원 PN 접합다이오드의 구조를 갖는다. 과잉으로 발생한 반송자에의해 전위는 초기 정상상태에 비해 큰 폭으로 상승하며 반송자가 발생하지 않는 전극영역에서는 감소된 상승폭을 보였다. 전자의 의사페르미 준위는 초기 정상상태와 다른 분포를 보이고 있으며 전위를 기준으로 과잉 생성된 EHP(Electron-Hole Pair)만큼 차이를 나타내었다.