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초록
본 연구에서 사용된 n형 조성은 Bi2Te2.7Se0.3 으로서 순도 99.99%의 각 원소와 dopant로서 0.1wt%의 CdI2를 석영관에 넣고 10-4torr의 진공분위기에서 봉입 후 rocking로에서 충분히 교반하여 균일한 잉고트를 제조하였다. 소결체압출(sintered material extrusion)은 제조된 잉고트를 분쇄기로 미분화한 후 ∼75㎛미만, 75∼150㎛, 150∼250㎛로 분급한 출발원료분말을 canning한 후 열간가압 장치를 이용하여 420℃성형온도와 200MPa의 성형압으로 성형체를 제조하여 그중 가장 우수한 성능지수를 나타내는 분말사이즈(150∼250㎛) 성형체로 380℃에서 압출비 2:1, 5:1, 10:1, 20:1로 증가시켜 열간압출을 행하였다. 그리고, 잉고트압출(ingot extrusion)은 제조된 잉고트를 Al 압출캔에 장입하고 소결체압출(sintered material extrusion)법과 같은 방법으로 압출재를 제조하여 미세조직 및 이방성과 열전특성등의 미치는 영향에 관하여 고찰하고자 하였다.
- 제목
- n형 반도체 Bi2 Te2.7 Se0.3 열간압출재의 미세조직 및 열전특성
- 제목 (타언어)
- The microstructure and thermoelectric properties of n-type Bi2Te2.7Se0.3 semiconductor fabricated by hot extrusion
- 저자
- Chi Hwan Lee
- 학회명
- 대한금속학회