Silicic acid의 환원 열탄화법에 의한 베타 탄화규소 휘스커의 합성

Synthesis of beta-SiC whiskers by the Carbothermal Reduction of Silicic acid
  • WON SEUNG CHO

초록

반응성이 우수한 Silicic acid를 고온에서 환원 탄화반응으로 베타 탄화규소 휘스커를 성장시켰으며, 이 과정에서 온도 및 분위기 등의 효과를 연구하였다. 베타 탄화규소 휘스커는 탄소기판 및 전기로 튜브의 안쪽 벽면에 성장되었으나 그 모양은 약간씩 다른 특징을 나타내었다. 온도가 증가함에 따라 휘스커의 생성은 촉진되어 20%CH4/80%H2의 분위기하에서 1480도, 2시간 반응시켰을 때 약 37%를 얻을 수 있었다. 분위기증 메탄의 함유량이 증가함에 따라 수율은 중가하였으며 질소의 함유량이 증가함에 따라서는 수율이 감소하였다. 그러나 휘스커 굵기의 균일성에 있어서는 질소가스의 첨가가 월등히 우수하였다.

제목
Silicic acid의 환원 열탄화법에 의한 베타 탄화규소 휘스커의 합성
제목 (타언어)
Synthesis of beta-SiC whiskers by the Carbothermal Reduction of Silicic acid
저자
WON SEUNG CHO
학회명
제13회 내화물 심포지움